- 선택적 도핑을 통한 고분자 전극/활성층 homojunction 구현 및 플렉시블 유기 반도체 적용 연구
(Sci. Adv. 2021; 7: eabg8169. IF : 14.136)
본 연구에서는, 고분자 활성층에 선택적 순차 도핑으로 구현한 전극/활성층 homojunction 구조와 소자 내 인접 층 (layer) 간 가교 결합을 활용하여 완전히 접을 수 있는 homojunction 고분자 박막 트랜지스터를 제작하였다. 선택적 순차 도핑을 통해 전극과 활성층 사이의 물리적 계면을 제거하였고, 그 외 계면에 가교 결합을 도입하여 소자의 기계적 안정성을 향상시켰다. 또한, 선택적 도핑은 깊이에 따른 일함수 구배 (gradient)를 형성하여 접촉 저항을 완화하였고, 이는 활성층으로의 효율적인 전하 주입을 촉진하였다. 해당 트랜지스터 소자는 2000번의 접힘 이후에도 성능 저하를 보이지 않았으며, FOW와 peel test를 통해 기계적 안정성을 확인할 수 있었다.